什么是DDR？
DDR，全称Double Data Rate，即“双比特翻转”，是一种内存技术。简单来说，它允许在时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据采样，从而实现更高的数据传输速率。在中国大陆，我们习惯用DDR来称呼使用了DDR技术的SDRAM，而在台湾和欧美，工程师们更倾向于用DRAM来称呼。
每代DDR的基本区别
DDR、DDR2、DDR3、DDR4和LPDDR，这些不同的DDR版本在技术上有许多区别。比如，DDR3引入了Prefetch技术，DDR4则进一步提高了数据传输速率和能效比。
关键技术解释
3.1 VTT
VTT是DDR的地址线、控制线等信号的上拉电源，需要专用的电源芯片提供。它的作用是增强DDR信号线的驱动能力，并提供直流偏置。
3.2 Prefetch
Prefetch技术允许DDR在接收到8个数据后，一次性将这8个数据写入存储单元，从而提高内部数据吞吐率。
3.3 SSTL
SSTL是JEDEC认可的一种高速内存接口标准，它规定了IC供电、IO的DC和AC输入输出门限、差分信号门限、Vref电压等。
3.4 Bank
Bank是DDR中的一个重要概念，它包含若干个Array，Array相当于一个表单，选中“行地址”和“列地址”后，表单中的一个单元格就被选中，这个单元格就是一个bit。
3.5 DDR的容量计算
DDR的容量计算需要考虑多种因素，如Row Address、Column Address、Page Size等。
3.6 Burst
Burst是DDR的一种访问方式，它允许在同一行中连续访问相邻的存储单元。
3.7 DDR的tRDC，CL，tAC
tRDC、CL、tAC是DDR的重要时序参数，它们分别代表了行选通周期、列地址脉冲选通潜伏期和时钟触发后的访问时间。
3.8 ODT
ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让一些信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
3.9 DDR3的ZQ
ZQ信号在DDR3时代开始引入，它要求在ZQ引脚放置一个240Ω±1%的高精度电阻到地，作为ODT校准的参考。
3.10 OCD
OCD是DDR-II开始加入的新功能，它的主要作用是调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，从而调整DQS与DQ之间的同步确保信号的完整与可靠性。
DDR3的PIN定义
DDR3的PIN定义非常详细，包括时钟线、数据线、地址线、控制线等。
DDR的走线规则
DDR的信号线需要分组，数据线一组，控制线一组，以时钟为中心。
小结与拓展
本文介绍了DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR这些内存技术的区别，以及一些关键技术。希望对您有所帮助。
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林译川，资深编辑，新派编程网（www.xjpbg.com）